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CYATB108LD-ZS45XI

Mfr# CYATB108LD-ZS45XI
Mfr. Cypress Semiconductor
Beschreibung IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Datenblätte CYATB108LD-ZS45XI.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer CYATB108LD-ZS45XI
Hersteller Cypress Semiconductor
Beschreibung IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 37 pcs
Datenblätte CYATB108LD-ZS45XI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 45ns
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse 44-TSOP II
Serie -
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Non-Volatile
Speichergröße 8Mb (1M x 8)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat NVSRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 45ns 44-TSOP II
Zugriffszeit 45ns

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