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FDB8445-F085

Mfr# FDB8445-F085
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Datenblätte FDB8445-F085.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer FDB8445-F085
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 21342 pcs
Datenblätte FDB8445-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 70A, 10V
Verlustleistung (max) 92W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FDB8445-F085TR
FDB8445_F085
FDB8445_F085-ND
FDB8445_F085TR
FDB8445_F085TR-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3805pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 70A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)

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