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SI8281CC-IS

Mfr# SI8281CC-IS
Mfr. Energy Micro (Silicon Labs)
Beschreibung DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Datenblätte SI8281CC-IS.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status
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Beschreibung

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Artikelnummer SI8281CC-IS
Hersteller Energy Micro (Silicon Labs)
Beschreibung DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 11230 pcs
Datenblätte SI8281CC-IS.pdf
Spannungsversorgung 2.8 V ~ 5.5 V
Spannung - Isolation 5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) -
Technologie Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse 20-SOIC
Serie Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 5.5ns, 8.5ns
Pulsbreite Verzerrung (Max) 5ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) 50ns, 50ns
Verpackung -
Verpackung / Gehäuse 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Andere Namen 336-5063
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
detaillierte Beschreibung 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 20-SOIC
Strom - Spitzenausgang 4A
Strom - hoch, niedrig 2.5A, 3A
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.) 35kV/µs
Zulassungen CQC, CSA, UL, VDE

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