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DB103G

Mfr# DB103G
Mfr. GeneSiC Semiconductor
Beschreibung DIODE BRIDGE 200V 1A DB
Datenblätte 1.DB103G.pdf 2.DB103G.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer DB103G
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Beschreibung DIODE BRIDGE 200V 1A DB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 115354 pcs
Datenblätte 1.DB103G.pdf 2.DB103G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max) 200V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Technologie Standard
Supplier Device-Gehäuse DB
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Andere Namen 1242-1210
DB103GGN
DB103GGN-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Single Phase
detaillierte Beschreibung Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole DB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 200V
Strom - Richt (Io) 1A

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