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DB155G

Mfr# DB155G
Mfr. GeneSiC Semiconductor
Beschreibung DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
Datenblätte 1.DB155G.pdf 2.DB155G.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer DB155G
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Beschreibung DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 73626 pcs
Datenblätte 1.DB155G.pdf 2.DB155G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max) 600V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1.5A
Technologie Standard
Supplier Device-Gehäuse DB
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Andere Namen DB155GGN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Single Phase
detaillierte Beschreibung Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole DB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 1.5A

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