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IRF7204TR

Mfr# IRF7204TR
Mfr. IR
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Datenblätte IRF7204TR.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer IRF7204TR
Hersteller IR
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status / RoHS-konform
Verfügbare Menge 199236 pcs
Datenblätte IRF7204TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 5.3A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen *IRF7204TR
IRF7204CT
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)

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