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IRF7828TRPBF

Mfr# IRF7828TRPBF
Mfr. IR
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SO
Datenblätte IRF7828TRPBF.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer IRF7828TRPBF
Hersteller IR
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status / RoHS-konform
Verfügbare Menge 168800 pcs
Datenblätte IRF7828TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen IRF7828TRPBF-ND
IRF7828TRPBFTR
SP001565554
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.6A (Ta)

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