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IRFU1010ZPBF

Mfr# IRFU1010ZPBF
Mfr. IR
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Datenblätte IRFU1010ZPBF.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer IRFU1010ZPBF
Hersteller IR
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status / RoHS-konform
Verfügbare Menge 78209 pcs
Datenblätte IRFU1010ZPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251)
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 42A, 10V
Verlustleistung (max) 140W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen *IRFU1010ZPBF
SP001567720
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
detaillierte Beschreibung N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)

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