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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

Mfr# MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Mfr. Micron Technology
Beschreibung IC FLASH 384G PARALLEL WAFER
Datenblätte
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC FLASH 384G PARALLEL WAFER
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 974 pcs
Datenblätte
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -
Spannungsversorgung 2.5 V ~ 3.6 V
Technologie FLASH - NAND
Serie -
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Non-Volatile
Speichergröße 384Gb (48G x 8)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung FLASH - NAND Memory IC 384Gb (48G x 8) Parallel

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