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MT47H256M4HQ-3:E TR

Mfr# MT47H256M4HQ-3:E TR
Mfr. Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Datenblätte MT47H256M4HQ-3:E TR.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer MT47H256M4HQ-3:E TR
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1460 pcs
Datenblätte MT47H256M4HQ-3:E TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V
Technologie SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse 60-FBGA (8x11.5)
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 60-FBGA
Andere Namen 557-1340-2
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 1Gb (256M x 4)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x11.5)
Uhrfrequenz 333MHz
Basisteilenummer MT47H256M4
Zugriffszeit 450ps

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