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MT47H256M8THN-25E:M

Mfr# MT47H256M8THN-25E:M
Mfr. Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Datenblätte MT47H256M8THN-25E:M.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer MT47H256M8THN-25E:M
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1415 pcs
Datenblätte MT47H256M8THN-25E:M.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V
Technologie SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse 63-FBGA (8x10)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 63-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
Uhrfrequenz 400MHz
Basisteilenummer MT47H256M8
Zugriffszeit 400ps

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