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BYC8B-600,118

Mfr# BYC8B-600,118
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK
Datenblätte BYC8B-600,118.pdf
Details PDF Herunterladen
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer BYC8B-600,118
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 42578 pcs
Datenblätte BYC8B-600,118.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.9V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 500V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 52ns
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 934054752118
BYC8B-600
BYC8B-600 /T3
BYC8B-600 /T3-ND
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 500V 8A Surface Mount D2PAK
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 150µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 8A
Kapazität @ Vr, F -
Basisteilenummer BYC8-600

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