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BYR29-600,127

Mfr# BYR29-600,127
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Datenblätte BYR29-600,127.pdf
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RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer BYR29-600,127
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 47559 pcs
Datenblätte BYR29-600,127.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75ns
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-2
Andere Namen 933722320127
BYR29-600
BYR29-600-ND
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 8A
Kapazität @ Vr, F -

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