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BYV10-600PQ

Mfr# BYV10-600PQ
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Datenblätte BYV10-600PQ.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer BYV10-600PQ
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 81221 pcs
Datenblätte BYV10-600PQ.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2V @ 10A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50ns
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-2
Andere Namen 1740-1159
568-11673
568-11673-ND
934068019127
BYV10-600PQ-ND
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 10A
Kapazität @ Vr, F -

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