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BYV415K-600PQ

Mfr# BYV415K-600PQ
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Datenblätte BYV415K-600PQ.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Beschreibung

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Artikelnummer BYV415K-600PQ
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 22878 pcs
Datenblätte BYV415K-600PQ.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 15A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 45ns
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen 1740-1260
568-11680
568-11680-ND
934068876127
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 600V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 15A

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