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TB100EP

Mfr# TB100EP
Mfr. WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
Datenblätte TB100EP.pdf
RoHS Status
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Beschreibung

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Artikelnummer TB100EP
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 265436 pcs
Datenblätte TB100EP.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 700V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 150mA, 750mA
Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3
Serie -
Leistung - max 2W
Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Andere Namen 934068209412
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Through Hole
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 1A 2W Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 14 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A

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